Основы электроники

Жеребцов И.П.

Описываются физические процессы в полупроводниковых и электровакуумных приборах, в интегральных микросхемах и некоторых специальных приборах современной электроники, устройство, характеристики и параметры приборов, а также некоторые особенности их применения.

Четвертое издание вышло в 1985 г. Настоящее издание дополнено материалами по пьезоэлектронике, акустоэлектронике, магнитоэлектронике, квантовой электронике, криоэлектронике, хемотронике и молекулярной электронике. Сокращены главы по электронным лампам.

Для инженерно-технических работников; может быть также полезной студентам вузов и техникумов, изучающим основы радиоэлектроники.

5-е издание, переработанное и дополненное.

Л.: Энергоатомиздат, 1989 г.

ISBN 5-283-04448-3

Количество страниц: 352.

Содержание книги «Основы электроники»:

  • 3 Предисловие
  • 4 Введение
    • 4 В.1. Электроника в народном хозяйстве
    • 5 В.2. Краткие сведения по истории электроники
    • 9 В.3. Требования к электронным элементам РЭА
    • 11 В.4. Полупроводниковые приборы в электронике
    • 13 В.5. Движение электронов в однородном электрическом поле
    • 16 В.6. Движение электронов в неоднородном электрическом поле
    • 17 В.7. Движение электронов в однородном магнитном поле
  • 19 Раздел первый. Полупроводниковые приборы, микроэлектроника и специальные направления электроники
  • 19 Глава первая. Электропроводность полупроводников
    • 19 1.1. Электроны в твердых телах
    • 21 1.2. Собственная электронная и дырочная электропроводность. Ток дрейфа
    • 26 1.3. Примесная электропроводность
    • 29 1.4. Диффузия носителей заряда в полупроводниках
  • 31 Глава вторая. Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы
    • 31 2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
    • 33 2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
    • 35 2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
    • 37 2.4. Переход металл - полупроводник
  • 38 Глава третья. Полупроводниковые диоды
    • 38 3.1. Вольт-амперная характеристика
    • 40 3.2. Емкость
    • 42 3.3. Температурные свойства
    • 42 3.4. Рабочий режим
    • 44 3.5. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока
    • 50 3.6. Последовательное и параллельное соединение
    • 51 3.7. Импульсный режим
    • 52 3.8. Основные типы
  • 59 Глава четвертая. Биполярные транзисторы
    • 59 4.1. Общие сведения
    • 60 4.2. Физические процессы
    • 65 4.3. Усиление с помощью транзистора
    • 67 4.4. Основные схемы включения
    • 71 4.5. Схемы питания и стабилизации режима
    • 74 4.6. Транзистор в усилительных каскадах и в генераторе
  • 76 Глава пятая. Характеристики и параметры биполярных транзисторов
    • 76 5.1. Характеристики
    • 82 5.2. Параметры и эквивалентные схемы
  • 89 Глава шестая. Рабочий режим биполярных транзисторов
    • 89 6.1. Расчет рабочего режима
    • 95 6.2. Влияние температуры
    • 97 6.3. Частотные свойства
    • 99 6.4. Импульсный режим
    • 101 6.5. Преобразование частоты полупроводниковыми приборами
    • 105 6.6. Собственные шумы транзисторов и диодов
    • 108 6.7. Основные типы биполярных транзисторов
  • 114 Глава седьмая. Полевые транзисторы
    • 114 7.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом
    • 120 7.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
  • 123 Глава восьмая. Специальные полупроводниковые приборы
    • 123 8.1. Тиристоры
    • 128 8.2. Туннельные диоды
    • 133 8.3. Полупроводниковые диоды для СВЧ
    • 136 8.4. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна
    • 138 8.5. Приборы с гетерогенными переходами
    • 138 8.6. Однопереходный транзистор
    • 139 8.7. Полупроводниковые резисторы
    • 140 8.8. Приборы на аморфных полупроводниках
    • 141 8.9. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы
    • 141 8.10. Термоэлектрические полупроводниковые приборы
  • 143 Глава девятая. Микроэлектроника
    • 143 9.1. Общие сведения
    • 144 9.2. Пленочные и гибридные интегральные схемы
    • 147 9.3. Полупроводниковые интегральные схемы
    • 159 9.4. Интегральные схемы на приборах с зарядовой связью и с инжекционным питанием
    • 161 9.5. Интегральные схемы для СВЧ
    • 163 9.6. Надежность интегральных схем
  • 163 Глава десятая. Пьезоэлектроника и акустоэлектроника
    • 163 10.1. Физические основы пьезоэлектроники
    • 164 10.2. Приборы пьезоэлектроники
    • 166 10.3. Физические основы акустоэлектроники
    • 167 10.4. Приборы акустоэлектроники
  • 169 Глава одиннадцатая. Магнитоэлектроника
    • 169 11.1. Гистерезисные магнитные элементы
    • 171 11.2. Цилиндрические магнитные домены
    • 173 11.3. Преобразователи Холла
    • 174 11.4. Магниторезисторы
    • 174 11.5. Магнитодиоды
    • 175 11.6. Магнитотранзисторы и магнитотиристоры
  • 176 Глава двенадцатая. Квантовая электроника
    • 176 12.1. Физические основы
    • 177 12.2. Принцип работы лазера
    • 178 12.3. Свойства лазерного излучения
    • 179 12.4. Основные типы лазеров
    • 182 12.5. Применение лазерного излучения
    • 183 12.6. Мазеры
    • 184 12.7. Квантовые парамагнитные СВЧ-усилители
  • 186 Глава тринадцатая. Оптоэлектроника
    • 186 13.1. Общие сведения
    • 186 13.2. Фоторезисторы
    • 187 13.3. Фотодиоды
    • 188 13.4. Фотоэлементы
    • 189 13.5. Фототранзисторы
    • 191 13.6. Фототиристоры
    • 192 13.7. Светоизлучающие диоды
    • 194 13.8. Оптроны
  • 198 Глава четырнадцатая. Криоэлектроника, хемотроника, молекулярная электроника
    • 198 14.1. Криоэлектроника
    • 200 14.2. Хемотроника
    • 203 14.3. Молекулярная электроника
  • 206 Раздел второй. Электровакуумные приборы
  • 206 Глава пятнадцатая. Принцип устройства и работы электровакуумных приборов
    • 206 15.1. Общие сведения, классификация
    • 207 15.2. Устройство и работа диода
    • 209 15.3. Устройство и работа триода
    • 209 15.4. Электронная эмиссия
    • 211 15.5. Термоэлектронные катоды
    • 215 15.6. Особенности устройства электронных ламп
  • 218 Глава шестнадцатая. Двухэлектродные лампы
    • 218 16.1. Физические процессы
    • 220 16.2. Закон степени трех вторых
    • 220 16.3. Анодная характеристика
    • 221 16.4. Параметры
    • 222 16.5. Рабочий режим. Применение диода для выпрямления переменного тока
    • 223 16.6. Основные типы
  • 224 Глава семнадцатая. Трехэлектродные лампы
    • 225 17.1. Физические процессы
    • 226 17.2. Токораспределение
    • 226 17.3. Действующее напряжение и закон степени трех вторых
    • 227 17.4. Характеристики
    • 230 17.5. Параметры
  • 235 Глава восемнадцатая. Рабочий режим триода
    • 235 18.1. Особенности
    • 236 18.2. Усилительный каскад с триодом
    • 240 18.3. Параметры усилительного каскада
    • 242 18.4. Аналитический расчет и эквивалентные схемы усилительного каскада
    • 244 18.5. Графоаналитический расчет режима усиления
    • 247 18.6. Генератор с триодом
    • 249 18.7. Межэлектродные емкости
    • 249 18.8. Каскады с общей сеткой и общим анодом
    • 249 18.9. Недостатки триодов
    • 250 18.10. Основные типы приемно-усилительных триодов
  • 251 Глава девятнадцатая. Многоэлектродные и специальные лампы
    • 251 19.1. Устройство и работа тетрода
    • 254 19.2. Устройство и работа пентода
    • 255 19.3. Схемы включения тетродов и пентодов
    • 256 19.4. Характеристики тетродов и пентодов
    • 257 19.5. Параметры тетродов и пентодов
    • 258 19.6. Межэлектродные емкости тетродов и пентодов
    • 259 19.7. Устройство и работа лучевого тетрода
    • 259 19.8. Характеристики и параметры лучевого тетрода
    • 260 19.9. Рабочий режим тетродов и пентодов
    • 262 19.10. Пентоды переменной крутизны
    • 262 19.11. Краткие сведения о различных типах тетродов и пентодов
    • 263 19.12. Специальные лампы
  • 264 Глава двадцатая. Электронно-лучевые трубки
    • 264 20.1. Общие сведения
    • 264 20.2. Электростатические электронно-лучевые трубки
    • 275 20.3. Магнитные электронно-лучевые трубки
    • 278 20.4. Люминесцентный экран
    • 281 20.5. Краткие сведения о различных электронно-лучевых трубках
  • 284 Глава двадцать первая. Газоразрядные и индикаторные приборы
    • 284 21.1. Электрический разряд в газах
    • 287 21.2. Тлеющий разряд
    • 291 21.3. Стабилитроны
    • 295 21.4. Тиратроны тлеющего разряда
    • 298 21.5. Индикаторные приборы
    • 301 21.6. Дисплеи
    • 303 21.7. Краткие сведения о различных газоразрядных приборах
  • 304 Глава двадцать вторая. Фотоэлектронные приборы
    • 304 22.1. Фотоэлектронная эмиссия
    • 305 22.2. Электровакуумные фотоэлементы
    • 307 22.3. Фотоэлектронные умножители
  • 308 Глава двадцать третья. Собственные шумы электронных ламп
    • 308 23.1. Причины собственных шумов
    • 309 23.2. Шумовые параметры
  • 311 Глава двадцать четвертая. Особенности работы электронных ламп на СВЧ
    • 311 24.1. Межэлектродные емкости и индуктивности выводов
    • 312 24.2. Инерция электронов
    • 313 24.3. Наведенные токи в цепях электродов
    • 316 24.4. Входное сопротивление и потери энергии
    • 320 24.5. Импульсный режим
    • 321 24.6. Основные типы электронных ламп для СВЧ
  • 323 Глава двадцать пятая. Специальные электронные приборы для СВЧ
    • 323 25.1. Общие сведения
    • 324 25.2. Пролетный клистрон
    • 328 25.3. Отражательный клистрон
    • 331 25.4. Магнетрон
    • 337 25.5. Лампы бегущей и обратной волны
    • 342 25.6. Амплитрон и карматрон
  • 343 Глава двадцать шестая. Надежность и испытание полупроводниковых и электровакуумных приборов
    • 343 26.1. Надежность и испытание полупроводниковых приборов
    • 346 26.2. Надежность и испытание электровакуумных приборов
  • 348 Список рекомендуемой литературы

Инструкция как скачать книгу Жеребцов И.П.: Основы электроники в форматах DjVu, PDF, DOC или fb2 совершенно бесплатно.
Основы электроники
Рейтинг книги:
8 голосов
813

Поиск книг:




При поиске учитываются только слова, длина которых больше 3-х символов.

Статистика: