Книговодство > Электромагнетизм, электроника

Основы электроники

Жеребцов И.П.

Описываются физические процессы в полупроводниковых и электровакуумных приборах, в интегральных микросхемах и некоторых специальных приборах современной электроники, устройство, характеристики и параметры приборов, а также некоторые особенности их применения.

Четвертое издание вышло в 1985 г. Настоящее издание дополнено материалами по пьезоэлектронике, акустоэлектронике, магнитоэлектронике, квантовой электронике, криоэлектронике, хемотронике и молекулярной электронике. Сокращены главы по электронным лампам.

Для инженерно-технических работников; может быть также полезной студентам вузов и техникумов, изучающим основы радиоэлектроники.

5-е издание, переработанное и дополненное.

Л.: Энергоатомиздат, 1989 г.

ISBN 5-283-04448-3

Количество страниц: 352.

Содержание книги «Основы электроники»:

3 Предисловие
4 Введение
- 4 В.1. Электроника в народном хозяйстве
- 5 В.2. Краткие сведения по истории электроники
- 9 В.3. Требования к электронным элементам РЭА
- 11 В.4. Полупроводниковые приборы в электронике
- 13 В.5. Движение электронов в однородном электрическом поле
- 16 В.6. Движение электронов в неоднородном электрическом поле
- 17 В.7. Движение электронов в однородном магнитном поле
19 Раздел первый. Полупроводниковые приборы, микроэлектроника и специальные направления электроники
19 Глава первая. Электропроводность полупроводников
- 19 1.1. Электроны в твердых телах
- 21 1.2. Собственная электронная и дырочная электропроводность. Ток дрейфа
- 26 1.3. Примесная электропроводность
- 29 1.4. Диффузия носителей заряда в полупроводниках
31 Глава вторая. Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы
- 31 2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- 33 2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- 35 2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- 37 2.4. Переход металл - полупроводник
38 Глава третья. Полупроводниковые диоды
- 38 3.1. Вольт-амперная характеристика
- 40 3.2. Емкость
- 42 3.3. Температурные свойства
- 42 3.4. Рабочий режим
- 44 3.5. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока
- 50 3.6. Последовательное и параллельное соединение
- 51 3.7. Импульсный режим
- 52 3.8. Основные типы
59 Глава четвертая. Биполярные транзисторы
- 59 4.1. Общие сведения
- 60 4.2. Физические процессы
- 65 4.3. Усиление с помощью транзистора
- 67 4.4. Основные схемы включения
- 71 4.5. Схемы питания и стабилизации режима
- 74 4.6. Транзистор в усилительных каскадах и в генераторе
76 Глава пятая. Характеристики и параметры биполярных транзисторов
- 76 5.1. Характеристики
- 82 5.2. Параметры и эквивалентные схемы
89 Глава шестая. Рабочий режим биполярных транзисторов
- 89 6.1. Расчет рабочего режима
- 95 6.2. Влияние температуры
- 97 6.3. Частотные свойства
- 99 6.4. Импульсный режим
- 101 6.5. Преобразование частоты полупроводниковыми приборами
- 105 6.6. Собственные шумы транзисторов и диодов
- 108 6.7. Основные типы биполярных транзисторов
114 Глава седьмая. Полевые транзисторы
- 114 7.1. Полевые транзисторы с управляющим переходом
- 120 7.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
123 Глава восьмая. Специальные полупроводниковые приборы
- 123 8.1. Тиристоры
- 128 8.2. Туннельные диоды
- 133 8.3. Полупроводниковые диоды для СВЧ
- 136 8.4. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна
- 138 8.5. Приборы с гетерогенными переходами
- 138 8.6. Однопереходный транзистор
- 139 8.7. Полупроводниковые резисторы
- 140 8.8. Приборы на аморфных полупроводниках
- 141 8.9. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы
- 141 8.10. Термоэлектрические полупроводниковые приборы
143 Глава девятая. Микроэлектроника
- 143 9.1. Общие сведения
- 144 9.2. Пленочные и гибридные интегральные схемы
- 147 9.3. Полупроводниковые интегральные схемы
- 159 9.4. Интегральные схемы на приборах с зарядовой связью и с инжекционным питанием
- 161 9.5. Интегральные схемы для СВЧ
- 163 9.6. Надежность интегральных схем
163 Глава десятая. Пьезоэлектроника и акустоэлектроника
- 163 10.1. Физические основы пьезоэлектроники
- 164 10.2. Приборы пьезоэлектроники
- 166 10.3. Физические основы акустоэлектроники
- 167 10.4. Приборы акустоэлектроники
169 Глава одиннадцатая. Магнитоэлектроника
- 169 11.1. Гистерезисные магнитные элементы
- 171 11.2. Цилиндрические магнитные домены
- 173 11.3. Преобразователи Холла
- 174 11.4. Магниторезисторы
- 174 11.5. Магнитодиоды
- 175 11.6. Магнитотранзисторы и магнитотиристоры
176 Глава двенадцатая. Квантовая электроника
- 176 12.1. Физические основы
- 177 12.2. Принцип работы лазера
- 178 12.3. Свойства лазерного излучения
- 179 12.4. Основные типы лазеров
- 182 12.5. Применение лазерного излучения
- 183 12.6. Мазеры
- 184 12.7. Квантовые парамагнитные СВЧ-усилители
186 Глава тринадцатая. Оптоэлектроника
- 186 13.1. Общие сведения
- 186 13.2. Фоторезисторы
- 187 13.3. Фотодиоды
- 188 13.4. Фотоэлементы
- 189 13.5. Фототранзисторы
- 191 13.6. Фототиристоры
- 192 13.7. Светоизлучающие диоды
- 194 13.8. Оптроны
198 Глава четырнадцатая. Криоэлектроника, хемотроника, молекулярная электроника
- 198 14.1. Криоэлектроника
- 200 14.2. Хемотроника
- 203 14.3. Молекулярная электроника
206 Раздел второй. Электровакуумные приборы
206 Глава пятнадцатая. Принцип устройства и работы электровакуумных приборов
- 206 15.1. Общие сведения, классификация
- 207 15.2. Устройство и работа диода
- 209 15.3. Устройство и работа триода
- 209 15.4. Электронная эмиссия
- 211 15.5. Термоэлектронные катоды
- 215 15.6. Особенности устройства электронных ламп
218 Глава шестнадцатая. Двухэлектродные лампы
- 218 16.1. Физические процессы
- 220 16.2. Закон степени трех вторых
- 220 16.3. Анодная характеристика
- 221 16.4. Параметры
- 222 16.5. Рабочий режим. Применение диода для выпрямления переменного тока
- 223 16.6. Основные типы
224 Глава семнадцатая. Трехэлектродные лампы
- 225 17.1. Физические процессы
- 226 17.2. Токораспределение
- 226 17.3. Действующее напряжение и закон степени трех вторых
- 227 17.4. Характеристики
- 230 17.5. Параметры
235 Глава восемнадцатая. Рабочий режим триода
- 235 18.1. Особенности
- 236 18.2. Усилительный каскад с триодом
- 240 18.3. Параметры усилительного каскада
- 242 18.4. Аналитический расчет и эквивалентные схемы усилительного каскада
- 244 18.5. Графоаналитический расчет режима усиления
- 247 18.6. Генератор с триодом
- 249 18.7. Межэлектродные емкости
- 249 18.8. Каскады с общей сеткой и общим анодом
- 249 18.9. Недостатки триодов
- 250 18.10. Основные типы приемно-усилительных триодов
251 Глава девятнадцатая. Многоэлектродные и специальные лампы
- 251 19.1. Устройство и работа тетрода
- 254 19.2. Устройство и работа пентода
- 255 19.3. Схемы включения тетродов и пентодов
- 256 19.4. Характеристики тетродов и пентодов
- 257 19.5. Параметры тетродов и пентодов
- 258 19.6. Межэлектродные емкости тетродов и пентодов
- 259 19.7. Устройство и работа лучевого тетрода
- 259 19.8. Характеристики и параметры лучевого тетрода
- 260 19.9. Рабочий режим тетродов и пентодов
- 262 19.10. Пентоды переменной крутизны
- 262 19.11. Краткие сведения о различных типах тетродов и пентодов
- 263 19.12. Специальные лампы
264 Глава двадцатая. Электронно-лучевые трубки
- 264 20.1. Общие сведения
- 264 20.2. Электростатические электронно-лучевые трубки
- 275 20.3. Магнитные электронно-лучевые трубки
- 278 20.4. Люминесцентный экран
- 281 20.5. Краткие сведения о различных электронно-лучевых трубках
284 Глава двадцать первая. Газоразрядные и индикаторные приборы
- 284 21.1. Электрический разряд в газах
- 287 21.2. Тлеющий разряд
- 291 21.3. Стабилитроны
- 295 21.4. Тиратроны тлеющего разряда
- 298 21.5. Индикаторные приборы
- 301 21.6. Дисплеи
- 303 21.7. Краткие сведения о различных газоразрядных приборах
304 Глава двадцать вторая. Фотоэлектронные приборы
- 304 22.1. Фотоэлектронная эмиссия
- 305 22.2. Электровакуумные фотоэлементы
- 307 22.3. Фотоэлектронные умножители
308 Глава двадцать третья. Собственные шумы электронных ламп
- 308 23.1. Причины собственных шумов
- 309 23.2. Шумовые параметры
311 Глава двадцать четвертая. Особенности работы электронных ламп на СВЧ
- 311 24.1. Межэлектродные емкости и индуктивности выводов
- 312 24.2. Инерция электронов
- 313 24.3. Наведенные токи в цепях электродов
- 316 24.4. Входное сопротивление и потери энергии
- 320 24.5. Импульсный режим
- 321 24.6. Основные типы электронных ламп для СВЧ
323 Глава двадцать пятая. Специальные электронные приборы для СВЧ
- 323 25.1. Общие сведения
- 324 25.2. Пролетный клистрон
- 328 25.3. Отражательный клистрон
- 331 25.4. Магнетрон
- 337 25.5. Лампы бегущей и обратной волны
- 342 25.6. Амплитрон и карматрон
343 Глава двадцать шестая. Надежность и испытание полупроводниковых и электровакуумных приборов
- 343 26.1. Надежность и испытание полупроводниковых приборов
- 346 26.2. Надежность и испытание электровакуумных приборов
348 Список рекомендуемой литературы